CV Maria Gambelli
Dottoranda in Scienza dei Materiali, Dottorato in Modelli Matematici per l'Ingegneria, Elettromagnetismo e Nanoscienze, Sapienza Università di Roma.
Attività di ricerca: sviluppo di dispositivi fotonici e optoelettronici innovativi basati su eterostrutture di semiconduttore SiGe/Ge racchiuse in microcavità risonanti. In particolare, mi occupo di seguire l'attività di micro-nanofabbricazione e di caratterizzazione dei dispositivi realizzati. L'attività di fabbricazione prevede l'impiego delle tecniche di litografia elettronica, di etching tramite attacco al plasma con ICP (Inductively Coupled Plasma) e di deposizione di film sottili mediante evaporazione per fascio di elettroni. L'attività di caratterizzazione prevede l'impiego della tecnica di spettroscopia THz condotta a temperatura ambiente e a basse temperature.
ESPERIENZA DI RICERCA
03/2024-10/2024: Assegno di ricerca presso l'Istituto di Fotonica e Nanotecnologie (IFN) del Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR) nell'ambito del progetto PRIN 2022 "Strong light-matter coupling manipulation in SiGe quantum wells at terahertz frequencies".
Tematica: Disegno, fabbricazione e caratterizzazione di cavità risonanti per esperimenti nel regime di accoppiamento ultra forte su buche quantiche di SiGe a frequenze THz.
FORMAZIONE
01/2024: Laurea Magistrale in Ingegneria delle Nanotecnologie (LM-53), Sapienza Università di Roma, votazione: 110/110 e lode
Titolo della tesi di laurea: Fabrication and characterization of Transition Edge Sensors for particle background reduction - tesi svolta in collaborazione con l'Istituto di Fotonica e Nanotecnologie (IFN-CNR) e l'Istituto di Astrofisica e Planetologia Spaziali (IAPS-INAF).
Attività svolta: fabbricazione tramite tecnica di litografia elettronica ed evaporazione per fascio elettronico di bilayer costituti da film sottili di Titanio-Oro per la realizzazione dell'elemento sensibile di rivelatori criogenici Transition Edge Sensors (TES) per particelle cariche. Caratterizzazione elettrica dei campioni realizzati tramite misure criogeniche con criostato a diluzione. Studio preliminare del fenomeno di invecchiamento dei campioni realizzati.
07/2020: Laurea Triennale in Ingegneria Elettronica (L-8), Università degli Studi Roma Tre, votazione: 110/110